![Molekularstrahlepitaxie und Charakterisierung von pseudomorphen In[gamma]Ga1-[gamma]As-Kanalschichten [IngammaGa1-gammaAs-Kanalschichten] für die Anwendung in Submikron-Heterostruktur-Feldeffekttransistoren](/_next/image?url=%2Fdefault%2Fcover.png&w=3840&q=75&dpl=dpl_9acPAUU5aJC5mgsomXXXcTAWybxs)
Molekularstrahlepitaxie und Charakterisierung von pseudomorphen In[gamma]Ga1-[gamma]As-Kanalschichten [IngammaGa1-gammaAs-Kanalschichten] für die Anwendung in Submikron-Heterostruktur-Feldeffekttransistoren
by Jörg Kraus
1994203 pages
[s.n.]·1 editions
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